ROHM SiC MOSFET
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SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法
关于根据开关波形计算功率损耗的方法，本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来，一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能，但如果没有该功能，就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此，需要了解具体的测量方法和波形。
NOVUSEM-CREE/ROHM/Wolfspeed/爱仕特/瀚芯/Infineon等 SiC MOSFET对照表
描述- NOVUSEM（蓉矽）--CREE/ROHM/Wolfspeed/爱仕特/瀚芯/Infineon/瞻芯电子 SiC MOSFET对照表
型号- E3M0040120K,C3M0040120D,E3M0075120K,NE1M120C40HT,C3M0075120K,C3M0075120J,E3M0075120D,IMW120R040M1H,IMZA120R040M1H,NC1M120C40HT,E3M0016120K,IV1Q12017T4
发布时间 : 2025-03-03
请问目前有哪些厂家有SIC MOSFET IPM产品
SIC MOSFET有派恩杰，新洁能等，IPM有格力新元、ROHM、Vincotech。
国产半导体有SIC模块么，1200V/600A，可以跟ROHM-BSM600D12P3G001等封装替换的
您好，目前世强代理的国产SIC mos 模块品牌中，暂时没有1200V/600A，世强代理国产基本半导体的车规sic mos 模块，BMB200120P1，单模块采用半桥拓扑结构，内部集成两单元 1200V/200A 碳化硅 MOSFET 和碳化硅续流二极管，参考资料介绍：/news/94186066.html
【PCN】Rohm-SiC Mosfet 10-PZ126PA080MR-M909F28Y 4“->6”晶圆尺寸变化
**主题变更：** Rohm SiC Mosfet晶圆尺寸从4英寸变更为6英寸。 **受影响产品：** 10-PZ126PA080MR-M909F28Y **变更原因：** 优化供应链 **变更分类：** 小型变更 **变更描述：** 晶圆尺寸变更，从4英寸变为6英寸（背面Ni金属化更厚）。 **预期影响：** 形状、尺寸、功能无影响 **时间表：** 最终合格报告、首批样品、开始交付分别为请求、请求、2020年1月9日 **产品标识：** 部分编号、旧版本、新版本 **文档：** 重要信息，小型变更无需客户确认，大型变更需在30天内确认，否则视为接受变更。
VINCOTECH - 10-PZ126PA080MR-M909F28Y
Littelfuse全新短交期、低成本SiC MOSFET，专为高品质高频应用
Littelfuse推出全新高性能LSIC1MO120E0160、LSIC1MO120E0080碳化硅SiC MOSFET，具有比同品质产品更低的价格，可对应替代CREE的C2MO160120D、C2MO080120D及ROHM的SCT2160KE、SCT2080KE。在市场上SiC器件普遍缺货的环境下，可做到更短的交期，降低缺货风险。
ROHM BM61S40RFV-C 高压隔离栅极驱动器
ROHM公司推出的BM61S40RFV-C是一款高压隔离栅极驱动器，适用于汽车、工业和消费类应用。该产品采用ROHM特有的芯片级变压器工艺，具有紧凑的隔离驱动器设计。其主要特性包括高隔离电压、大电流驱动能力、内置Miller钳位电路、短路保护和软关断功能。该产品适用于SiC、IGBT和Si-MOSFET等功率器件的驱动，能够提供高效、安全的功率转换。
KIONIX - 隔离栅极驱动器,BM61S40RFV-C,工业,汽车,消费类应用
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
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有没有大功率的碳化硅MOSFET推荐
世强代理的碳化硅有wolfspeed、Littelfuse和ROHM,均有大功率产品，可以通过下述网址选型：SIC 功率器件选型指南 Littelfuse全新短交期、低成本SiC MOSFET，专为高品质高频应用SiC Power Device 功率元器件
SCT4062KRHR 1200V 26A SiC MOSFET
SCT4062KRHR是一款由ROHM公司生产的汽车级SiC（碳化硅）MOSFET。该产品采用 trench 结构设计，具备1200V的耐压能力和26A的电流承载能力。它通过了AEC-Q101认证，适用于汽车电子领域。SCT4062KRHR具有低导通电阻、快速开关速度和快速反向恢复等优点，相比传统产品，其导通电阻降低了约40%，开关损耗降低了约50%。该产品采用TO-247-4L封装，易于驱动和并联，符合RoHS标准。
KIONIX - SIC MOSFET,SIC场效应晶体管,SCT4062KRHRC15,汽车电子
SiC肖特基势垒二极管
这份资料主要介绍了多种类型的元器件，包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外，还提供了相关产品的图片和包装信息。
ROHM - SIC MOSFET,全碳化硅功率模块,智能电源模块,SIC肖特基势垒二极管,FULL SIC POWER MODULES,IGBTS,INTELLIGENT POWER MODULES,SIC MOSFETS,SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES
世强代理罗姆？罗姆SiC有现货型号车规的
世强这边有代理ROHM的碳化硅二极管和MOSFET。碳化硅二极管: /Web/Search/keyword/SCS2 碳化硅MOSFET:/Web/Search/keyword/SCT3 有具体的参数需求，可以进一步和世强沟通。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量：1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址：深圳/苏州 提交需求>